光刻機

實景拍攝光刻機

                   (單面對準單面曝光)                                                  (單面對準雙面曝光)

                      (單面對準單面曝光)                                                  (單面對準雙面曝光)

 

              (雙面對準單面曝光)                                                  (單面對準雙面曝光)

 

什么是光刻機

光刻機(紫外曝光機)(Mask Aligner) 又被稱為:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫 Mask Alignment System.

一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
Photolithography(光刻) 意思是用光來制作一個圖形(工藝);在硅片表面勻膠,然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。

光刻機用途

 主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產。 由于本機找平機構先進,找平力小、使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、寶石片的曝光,而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

光刻機分類

光刻機一般根據操作的簡便性分為三種,手動、半自動、全自動。
A 手動:指的是對準的調節方式,是通過手調旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來完成對準,對準精度可想而知不高了;
B 半自動:指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧;
C 自動: 指的是 從基板的上載下載,曝光時長和循環都是通過程序控制,自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要,恩科優的NXQ8000系列可以一個小時處理幾百片wafer。

單面光刻機主要技術指標

1、適用于4″、3″、2″基片,基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相對應的版夾盤,□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、調密著真空度,能實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光。
4、采用鷹眼曝光頭,光的不均勻性≤±3%,曝光時間0~9999.9秒可調。
5、具有預定位靠尺:利用基片切邊進行定位,定位精度≤1微米 。
6、具有雙工作承片臺,利用曝光時間,進行卸片、上片工作。

雙面光刻機主要技術指標

雙面對準,單面曝光(適用于6″、5″、4″、3″、2″基片)
雙面對準,雙面曝光(適用于6″、5″、4″、3″、2″基片)

1、適用于6″、5″、4″、3″、2″基片,基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相對應的版夾盤,,□7″×7″、□6″×6″/□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、調密著真空度,能實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光。
4、采用鷹眼曝光頭,光的不均勻性≤±3%,曝光時間0~9999.9秒可調。
5、具有預定位靠尺:利用基片切邊進行定位,定位精度≤1微米 。
6、具有雙工作承片臺,利用曝光時間,進行卸片、上片工作。

光刻機紫外光源

曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。
常見光源分為:
紫外光(UV),g線:436nm;i線:365nm
深紫外光(DUV),KrF 準分子激光:248 nm, ArF 準分子激光:193 nm
極紫外光(EUV),10 ~ 15 nm
對光源系統的要求
a.有適當的波長。波長越短,可曝光的特征尺寸就越小;[波長越短,就表示光刻的刀鋒越鋒利,刻蝕對于精度控制要求越高,因為衍射現象會更嚴重。]
b.有足夠的能量。能量越大,曝光時間就越短;
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈(高壓汞燈),高壓汞燈有許多尖銳的光譜線,經過濾光后使用其中的g 線(436 nm)或i 線(365 nm)。
對于波長更短的深紫外光光源,可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光(248 nm)、ArF 準分子激光(193 nm)和F2準分子激光(157 nm)等。
曝光系統的功能主要有:平滑衍射效應、實現均勻照明、濾光和冷光處理、實現強光照明和光強調節等。

光刻機生產廠家供應信息

廠家名稱:成都新德南光機械設備有限公司.
廠家地址:四川省成都市武侯區逸都路29號.
廠家聯系人:文寬.
廠家聯系電話:13540650355。
該廠家位于四川成都,多地有駐外辦事處,可面向全國各個企業提供光刻機相關產品的定制和維修。

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